Зберегти: Модуль перешкод GaN з роз'ємом SMA

Цей компактний модуль перешкод на основі нітриду галію (GaN) оснащений вхідними/вихідними ВЧ-роз'ємами SMA-female. Він підтримує вибір вихідної потужності від 10 до 60 Вт та індивідуальний діапазон частот 100–7200 МГц, що ідеально підходить для настільних випробувань, портативного обладнання та модульних систем з обмеженим простором для боротьби з дронами та придушення сигналів.